IT之家 12 月 11 日新闻，韩媒 ZDNet 外地时光 9 日征引行业讲演表现，三星电子已于克日启动下代 1c nm 制程 DRAM 内存量产所需装备的洽购，从 Lam Research 泛林团体等重要半导体装备制作商购置的装备将于来岁 2 月阁下引进至量产线。三星电子现在尚未官宣 1c nm（IT之家注：第 6 代 10nm 级制程）DRAM。报道指出三星电子的 1c nm 现在处于试产状况，已失掉首批 Good Die 良品晶粒，其首条 1c nm 量产线将设置于韩国京畿道平泽 P4 工场。▲ 三星电子平泽厂区业内子士表现，三星电子 1c nm 量产投资的初期范围不会很年夜，这是由于尚需时日来实现这一新制程 DRAM 良率的稳固，待工艺成熟后三星才会停止额定的投资。此前有新闻称三星电子已确认将鄙人代 HBM4 中利用 1c nm DRAM，能够说 1c nm 的表示很年夜水平上决议了三星是否在竞争剧烈的 HBM 内存市场遇上乃至超出现在的当先者 SK 海力士。告白申明：文内含有的对外跳转链接（包含不限于超链接、二维码、口令等情势），用于通报更多信息，节俭甄选时光，成果仅供参考，IT之家全部文章均包括本申明。 　　申明：新浪网独家稿件，未经受权制止转载。 -->