【TechWeb】2月20日新闻，据外媒报道，三星电子副会长兼联席CEO，担任存储芯片、晶圆代工等芯片营业的装备处理计划营业部分主管全永鉉（Jun Young Hyun），在上周密访了英伟达的总部。从外媒的报道来看，全永鉉上周前去英伟达的总部，是有主要的营业，他携带有他们改良了计划的1b DRAM样品，1b DRAM将用于制作高带宽存储器（HBM）。1b DRAM是第五代10nm制程工艺的DRAM，重要是用于制作HBM3E，三星电子客岁盘算开端用1b DRAM制作高带宽存储器，但碰到了良品率跟过热的成绩，英伟达也因而请求三星电子改良他们1b DRAM的计划。全永鉉上周前去英伟达总部所携带的样品，恰是计划改良后的结果。外媒在报道中提到，三星电子芯片营业部分的主管亲身向客户展现样品十分常见，但这也凸显了他们对英伟达及HBM3E订单的器重。全永鉉亲身到英伟达总部，很可能仍是为了确保来自英伟达的订单。在报道中，外媒还提到，在1b DRAM呈现良品率跟过热的成绩之后，三星电子曾盘算采取1a DRAM，也就是1b DRAM的前一代，制作HBM3E，在HBM4上则是跳过1b DRAM，采取1c DRAM，但英伟达仍是请求他们采取1b DRAM制作HBM3E，三星电子方面也因而对1b DRAM的计划停止改良，以战胜所碰到的成绩。HBM是英伟达为OpenAI、Meta、xAI等厂商供给的人工智能芯片的主要构成局部，较DRAM价钱更高，假如能取得英伟达的年夜单，就将年夜幅晋升事迹。与三星电子还在向英伟达供给样品、追求取得订单差别，他们的竞争敌手SK海力士，曾经在向英伟达供给1b DRAM制作的HBM3E。（海蓝）